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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

总分
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

总分
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung 9905599-020.A00G 16GB 需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 32
    左右 19% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.6 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.2 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13% 更高的带宽
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB 需要考虑的原因
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    15.6 left arrow 9.8
  • 写入速度，GB/s
    13.2 left arrow 8.6
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2783 left arrow 2271

Samsung 9905599-020.A00G 16GB RAM的比较

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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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内存RAM
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