RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung 9905599-020.A00G 16GB против Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Средняя оценка
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
9.8
Скорость записи, Гб/сек
13.2
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2783
2271
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link