RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
43
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
31
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3318
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link