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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
14.9
15.7
写入速度,GB/s
9.6
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3318
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
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