RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3318
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link