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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
43
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
22
Velocità di lettura, GB/s
14.9
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3075
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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