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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB 需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 43
    左右 -95% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.7 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.7 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 17.7
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 12.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3075

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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