RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
59
Intorno -119% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
27
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3731
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link