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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
59
Por volta de -119% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
16.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3731
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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