RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
21.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
59
Intorno -181% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
21
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
17.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3954
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link