RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
59
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3954
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link