RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
59
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
17.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3954
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link