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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
59
Intorno -74% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
34
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3700
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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