RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
58
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
23
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3015
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link