RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
58
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3015
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link