RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
58
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
30
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3312
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link