RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
58
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
38
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2659
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link