RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
58
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2659
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link