RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
58
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
35
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3221
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Segnala un bug
×
Bug description
Source link