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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
58
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
35
读取速度,GB/s
4,241.0
17.6
写入速度,GB/s
1,950.7
12.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3221
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
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