RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3019
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link