RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
46
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
23
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2830
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link