RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs AMD R748G2400U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
AMD R748G2400U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R748G2400U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
46
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
23
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2686
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link