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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
46
Intorno -119% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
21
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2981
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
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