RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
46
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
25
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3663
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link