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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
46
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
24
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3990
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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