RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3555
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link