RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
46
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
35
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2969
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link