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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
46
Intorno -119% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
21
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3255
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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