RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2516
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link