RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
59
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
59
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1968
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link