RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2941
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link