RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
38
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link