RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2834
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link