RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2332
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link