RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
46
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
27
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2773
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KB5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link