RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
46
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
24
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3950
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link