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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3657
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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