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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
46
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
27
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2062
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
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