RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
54
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.6
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
54
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
7.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1611
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5403-160.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link