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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
46
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
36
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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