RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2330
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link