RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3447
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link