RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
3733
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link