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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
3733
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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