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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
4,605.9
18.8
写入速度,GB/s
2,451.8
15.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3733
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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