RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
71
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
71
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
1799
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link