RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
84
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
84
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
1574
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link