RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
84
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
84
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1574
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link