RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
60
Intorno -122% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
27
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3396
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link