RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
60
Intorno -216% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
19
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3310
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link